先前市场消息盛传,ASML准备进军半导体后段设备市场,将聚焦快速成长的先进封装领域。据韩媒The Elec报道,目前公司正在开发混合键合(hybrid bonding)设备,这是下一代芯片封装的关键设备。知情人士透露,ASML已开始设计用于半导体后段工艺的混合键合设备整体架构;此外,ASML近期已与外部合作伙伴展开系统开发。报道指出,潜在合作伙伴包括Prodrive Technologies与VD
了解详情 2026-06-01
近日,国内第三代化合物半导体厂商英诺赛科(苏州)半导体有限公司(以下简称“英诺赛科”)发生工商变更,注册资本增至44亿元,相较此前的37亿元,增幅达19%。资料显示,英诺赛科成立于2015年,由英诺赛科(苏州)科技股份有限公司全资持股,是氮化镓工艺创新与功率器件制造厂商,其氮化镓产品主要应用于低压、中压和高压产品领域,服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源
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3月18日,三星电子宣布,已与半导体芯片大厂AMD(超威)在三星平泽厂签署了谅解备忘录(MOU),以扩大双方在下一代人工智能内存和计算技术方面的战略合作。根据该谅解备忘录,三星和AMD将在下一代AMD AI加速器AMD Instinct MI455X GPU的HBM4主要供应方面,以及代号为“Venice”的第六代AMD EPYC CPU的先进DRAM解决方案方面达成合作共
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根据韩国中央日报报道,由于台积电的产能面临极度紧绷的状态,美国各大科技厂商纷纷开始排队寻求其他晶圆代工产能的支持。在此强烈需求的背景下,韩国三星正积极筹备,准备在其位于美国德州泰勒市的庞大半导体园区内,着手兴建第二座晶圆厂(Fab 2)。报道指出,根据泰勒市议会所披露的官方文件,这座备受瞩目的第二座晶圆厂建设计划,目前已经正式进入监管审查与准备的初步阶段。日前,泰勒市议会已经无异议全票通过了一项修
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3月16日,在中关村论坛 “北京基础研究和技术攻关成效” 发布活动上,清华大学材料学院宋成教授团队宣布在新型磁存储领域取得关键突破,为研发兼具超高密度、超快读写与低功耗的新一代磁存储器奠定核心科学基础。近年来,全球数据爆发式增长,传统存储能力已难以为继,内存、硬盘频繁紧缺涨价。在此背景下,具备超高密度、超高速度和超低功耗特性的存储技术,成为新一代信息技术发展的核心需求。宋成
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